Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeTootedTööstuslike nutikamoodulite lisaseadmedDDR3 udimm mälumooduli spetsifikatsioonid

DDR3 udimm mälumooduli spetsifikatsioonid

Makseviis:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Telli:
1 Piece/Pieces
Transport:
Ocean,Air,Express,Land
  • Tootekirjeldus
Overview
Toote atribuudid

Mudeli nr.NSO4GU3AB

Tarnevõime ja lisateave

TransportOcean,Air,Express,Land

MakseviisL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Pakendamine ja kohaletoimetamine
Ühikute müük:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-pin DDR3 Udimm


Revideerimise ajalugu

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Tellimise teabe tabel

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Kirjeldus
Hengstar Unfefund DDR3 SDRAM DIMMS (kustutamata kahekordse andmeedastuskiiruse sünkroonsed DRAM-i kahekordsed mälumoodulid) on väikese võimsusega kiirete operatsioonide mälumoodulid, mis kasutavad DDR3 SDRAM-seadmeid. NS04GU3AB on 512m x 64-bitine kahe astme 4GB DDR3-1600 CL11 1,5 V SDRAM-i puhastamata DIMM-produkt, mis põhineb kuusteist 256M x 8-bitisel FBGA komponentidel. SPD on programmeeritud Jedeci standardse latentsusaja DDR3-1600 ajastusele 11-11-11 1,5 V juures. Iga 240-kontaktiline DIMM kasutab kuldseid kontakt sõrmi. SDRAM -i puhastamata DIMM on mõeldud kasutamiseks põhimäluna, kui see on installitud sellistesse süsteemidesse nagu personaalarvutid ja tööjaamad.


Funktsioonid
Poweri pakkumine: VDD = 1,5 V (1,425 V kuni 1,575 V)
VDDQ = 1,5 V (1,425 V kuni 1,575 V)
800MHz FCK 1600MB/SEK/PIN -i jaoks
8 sõltumatu sisepank
 Programmeeritav CAS latentsus: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Programmeeritav lisandi latentsus: 0, Cl - 2 või Cl - 1 kell
8-bit
Bursti pikkus: 8 (põimige piirideta, järjestikune ainult stardiaadressiga “000”), 4, kui TCCD = 4, mis ei võimalda sujuvat lugemist ega kirjutada [kas lennult, kasutades A12 või MRS]
Bi-suuna diferentsiaalandmed Strobe
internaalne (ise) kalibreerimine; Sisemine isekalibreerimine läbi ZQ PIN (RZQ: 240 oomi ± 1%)
 Die lõpetamine ODT tihvti abil
 Keskmine värskendusperiood 7,8US madalamal kui TCase 85 ° C, 3,9US 85 ° C <TCase <95 ° C
Asünkroonne lähtestamine
 reguleeritav andmete väljundi draivi tugevus
Fly-by topoloogia
PCB: kõrgus 1,18 ”(30mm)
Roogid nõuetele vastavad ja halogeenivabad


Peamised ajastusparameetrid

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Aadressilaud

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN -koodkirjeldused

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Märkused Allolev tihvti kirjelduse tabel on kõigi DDR3 moodulite võimalike tihvtide põhjalik loetelu. Kõik loetletud tihvtid võivad ei toeta sellel moodulil. Selle mooduli spetsiifilise teabe kohta vaadake PIN -i ülesandeid.


Funktsionaalne plokkskeem

4GB, 512MX64 moodul (2RANK x8)

1


2


Märge:
1.Ta ZQ -pall igal DDR3 komponendil on ühendatud välise 240Ω ± 1% takistiga, mis on seotud maapinnaga. Seda kasutatakse komponendi DIE lõpetamise ja väljundjuhi kalibreerimiseks.



Mooduli mõõtmed


Eestvaade

3

Eestvaade

4

Märkused:
1. Kõik mõõtmed on millimeetrites (tolli); Max/min või tüüpiline (tüüp), kui märgitud.
2.Tolerants kõigil mõõtmetel ± 0,15 mm, kui pole teisiti täpsustatud.
3.Tegeme diagramm on ainult viitamiseks.

Tootekategooriad : Tööstuslike nutikamoodulite lisaseadmed

Saada see tarnijale e-kiri
  • *Teema:
  • *Et:
    Mr. Jummary
  • *E-post:
  • *Sõnum:
    Teie sõnum peab olema vahemikus 20-8000 tähemärki
HomeTootedTööstuslike nutikamoodulite lisaseadmedDDR3 udimm mälumooduli spetsifikatsioonid
Saada päring
*
*

Kodu

Product

Phone

Meist

Uurimine

Võtame teiega kohe ühendust

Täitke lisateave, et saaksite teiega kiiremini ühendust võtta

Privaatsusavaldus: teie privaatsus on meie jaoks väga oluline. Meie ettevõte lubab mitte avaldada teie isiklikku teavet ühelegi väljasaatmisele, ilma et teie selgesõnalised õigused on.

Saada